Eeprom là gì

Sở nhớ chỉ phát âm ( ROM ) là 1 nhiều loại bộ nhớ không biến hóa được áp dụng trong máy tính xách tay với các lắp thêm năng lượng điện tử không giống. Dữ liệu được tàng trữ vào ROM cấp thiết được sửa thay đổi bằng điện tử sau khoản thời gian sản xuất. Sở ghi nhớ chỉ đọc hữu ích đến bài toán lưu trữ ứng dụng thảng hoặc khi thay đổi nhìn trong suốt vòng đời của khối hệ thống, thỉnh thoảng được call là phần sụn (firmware) . Các áp dụng phần mềm cho các đồ vật thiết kế có thể được phân phối hận bên dưới dạng các hộp mực bổ trợ gồm chứa bộ lưu trữ chỉ gọi (băng trò chơi Clip game).

Bạn đang xem: Eeprom là gì

Đang xem: Eeprom là gì

Sở ghi nhớ chỉ hiểu có thể lập trình sẵn xóa được (EPROM) với bộ lưu trữ chỉ gọi có thể xây dựng xóa được bằng năng lượng điện (EEPROM) rất có thể được xóa với xây dựng lại, tuy thế thông thường chỉ hoàn toàn có thể được tiến hành ở tốc độ kha khá đủng đỉnh, rất có thể quan trọng bị đặc biệt để thực hiện, và chỉ rất có thể một sửa đổi số lần một mực.

Thuật ngữ “ROM” đôi lúc được sử dụng nhằm có một sản phẩm công nghệ ROM bao gồm chứa phần mềm hoặc một tệp gồm phần mềm được lưu trữ vào EEPROM hoặc Flash Memory. Ví dụ: người tiêu dùng sửa thay đổi hệ quản lý điều hành Android điện thoại tư vấn các tệp đựng hệ quản lý đang sửa đổi là ” ROM thiết lập cấu hình ”


Mục lục nội dung


Các nhiều loại ROMTốc độ của ROM

ROM áp dụng để lưu trữ công tác BIOS

*
*

EPRom cùng với cửa sổ xóa bởi tia UV

Bộ lưu giữ chỉ đọc hoàn toàn có thể thiết kế lại (EPROM) bằng cách tiếp xúc cùng với ánh nắng rất tím mạnh(hay trong 10 phút ít hoặc thọ hơn), tiếp nối viết lại với quá trình đề nghị điện áp cao hơn nữa thường thì. Tiếp xúc nhiều lần cùng với tia UV sau cùng đang có tác dụng hao mòn EPROM, nhưng lại độ bền của hầu hết những chip EPROM những đạt 1000 chu kỳ xóa và lập trình sẵn lại. Các chip EPROM thường có thể được khác nhau vì chưng “cửa ngõ sổ” được cho phép tia nắng UV lấn sân vào. Sau Khi thiết kế, cửa sổ thường được phủ nhãn bảo vệ nhằm ngnạp năng lượng Việc xóa vì chưng vô tình. Một số chip EPROM được xây dựng tận nơi sản phẩm công nghệ trước khi bọn chúng được đóng gói và ko bao hàm cửa sổ.

EEPROM là gì

Bộ nhớ chỉ đọc hoàn toàn có thể lập trình sẵn được bằng năng lượng điện tử (EEPROM) dựa vào cấu tạo chào bán dẫn tương tự như EPROM, cơ mà cho phép xóa tổng thể nội dung của chính nó, tiếp nối viết lại bởi điện, và bọn chúng không biến thành xóa sổ máy tính Khi mất năng lượng điện (laptop nhúng trong sản phẩm công nghệ hình ảnh, vật dụng nghe nhạc MP3, v.v.). Viết hoặc flash EEPROM chậm chạp rộng những (mili giây trên bit) đối với gọi từ ROM hoặc ghi vào RAM (nano giây vào cả hai ngôi trường hợp).

EAROM là gì

Sở ghi nhớ chỉ hiểu hoàn toàn có thể biến đổi bằng năng lượng điện (EAROM) là 1 trong các loại EEPROM rất có thể được sửa thay đổi một bit từng lần. Viết lại là 1 quy trình rất đủng đỉnh cùng phải điện áp cao hơn nữa (thường xuyên là khoảng 12 V ) đối với điện áp áp dụng nhằm gọi tài liệu. EAROM giành cho những áp dụng đòi hỏi biến hóa không tiếp tục và chỉ còn thay đổi 1 phần. EAROM hoàn toàn có thể được sử dụng có tác dụng bộ nhớ lưu trữ không mất dữ liệu đến công bố thiết lập cấu hình khối hệ thống quan tiền trọng; trong vô số ứng dụng, EAROM đã làm được sửa chữa bằng RAM CMOS được cung ứng vày nguồn điện chính và được sao lưu bởi pin lithium .

Bộ lưu giữ flash là gì ?

Sở nhớ flash (hoặc đơn giản là flash ) là một trong một số loại EEPROM hiện tại đại được sáng tạo vào năm 1984. Bộ ghi nhớ flash có thể bị xóa và lưu lại nkhô nóng rộng EEPROM thường thì cùng các xây đắp bắt đầu hơn tất cả độ bền rất cao (vượt thừa một triệu chu kỳ). Đèn flash NAND văn minh góp áp dụng tác dụng diện tích S chip silibé, dẫn mang lại những IC trơ thổ địa có dung lượng lên đến mức 512 GB tính mang lại năm 2018; công dụng này, với thời gian chịu đựng hiểu ghi và chất lượng độ bền trang bị lý của nó, sẽ có thể chấp nhận được flash NAND sửa chữa thay thế cách thức lưu trữ từ tính (ổ cứng HDD) vào một trong những ứng dụng (như ổ flash USB ). Bộ lưu giữ flash nhiều lúc được gọi là flash ROM hoặc flash EEPROM khi được thực hiện thay thế sửa chữa cho những các loại ROM cũ hơn, tuy vậy không hẳn trong các vận dụng tận dụng tối đa kĩ năng của chính nó để được sửa đổi gấp rút cùng thường xuyên.

Xem thêm: Trái Mướp Tiếng Anh Là Gì ? Tra Từ Trái Mướp Tiếng Anh Là Gì

Bằng cách áp dụng bảo đảm an toàn ghi, một số trong những loại ROM có thể lập trình lại có thể trong thời điểm tạm thời phát triển thành bộ nhớ lưu trữ chỉ gọi.

Các công nghệ khác

Có các các loại bộ lưu trữ ko mất dữ liệu khác không dựa trên technology IC trạng thái rắn, bao gồm:

Phương thơm tiện thể lưu trữ quang quẻ , CD-ROM chỉ phát âm (giống như ROM). CD-ROM được ghi một đợt gọi nhiều lần (tương tự như nlỗi PROM), trong những lúc CD-RW hỗ trợ những chu trình xóa-đánh dấu (tương tự EEPROM); cả hai hầu như được thiết kế nhằm tương xứng ngược cùng với CD-ROM.

Tốc độ của ROM

Mặc dù tốc độ kha khá của RAM so với ROM vẫn thay đổi theo thời gian, kể từ năm 2007, những chip RAM phệ có thể hiểu nhanh hao rộng phần lớn những ROM. Vì nguyên do này (với để chất nhận được truy vấn thống nhất), đôi lúc ngôn từ ROM được xào luộc vào RAM hoặc được load vào RAM sau lần áp dụng trước tiên với sau đó được gọi từ RAM.

Tốc độ hiểu ghi

Đối cùng với đều nhiều loại ROM hoàn toàn có thể được sửa đổi bằng năng lượng điện, vận tốc ghi thường lờ lững hơn các đối với tốc độ hiểu và có thể cần điện áp cao hơn nữa thường thì, nấc đổi khác năng lượng điện áp kích hoạt ghi và mã lệnh khóa / mnghỉ ngơi khóa quan trọng. Flash NAND văn minh đạt tốc độ ghi cao nhất trong đều công nghệ ROM có thể lưu lại, với tốc độ lên tới mức 10 GB/s, điều này đã có địa chỉ vị sự đầu tư tăng thêm vào công nghệ ổ cứng tâm lý rắn của khách hàng và doanh nghiệp và những sản phẩm bộ nhớ flash cho các máy di động cầm tay thời thượng hơn. Ở Lever kỹ thuật, rất nhiều tiện ích đạt được bằng cách tăng tính song tuy nhiên cả vào kiến tạo bộ tinh chỉnh và điều khiển cùng tàng trữ, Việc thực hiện cỗ đệm đọc/ghi DRAM béo với triển khai những ô ghi nhớ hoàn toàn có thể tàng trữ nhiều hơn nữa một bit (DLC, TLC với MLC). Cách tiếp cận trang bị nhị dễ bị thất bại rộng tuy nhiên vấn đề đó đa số được bớt thiểu bằng phương pháp cung ứng các thuật tân oán đọc/ghi ngày càng tinh vi trong phần sụn (firmware)ổ đĩa.

Độ bền với cất giữ tài liệu ROM

Bởi vị chúng được ghi bằng phương pháp buộc những electron đi sang một lớp phương pháp năng lượng điện bên trên cổng nhẵn buôn bán dẫn, ROM hoàn toàn có thể hiểu ghi chỉ hoàn toàn có thể chịu được một số trong những lượng hạn chế những quy trình ghi với xóa trước lúc lớp phương pháp điện bị lỗi lâu dài. Trong các EPROM thời kỳ đầu, vấn đề này rất có thể xảy ra sau tối thiểu 1.000 chu kỳ luân hồi ghi, trong lúc vào EEPROM Flash hiện đại, chất lượng độ bền có thể quá vượt 1.000.000. Độ bền tinh giảm, cũng giống như chi phí từng bit cao hơn nữa, Có nghĩa là bộ nhớ dựa vào Flash không có công dụng sửa chữa thay thế trọn vẹn các ổ đĩa tự về sau ngay sát.

Số lần nhưng mà ROM hoàn toàn có thể phát âm chính xác không biến thành số lượng giới hạn vị chu kỳ ghi. Việc lưu lại tài liệu của EPROM, EAROM, EEPROM với Flash có thể bị giảm bớt vì chưng nhỉ năng lượng điện trường đoản cú những cổng của những nhẵn buôn bán dẫn tế bào bộ nhớ. Rò rỉ hoàn toàn có thể xảy ra nkhô nóng rộng bên dưới ảnh hưởng vì chưng ánh nắng mặt trời cao hoặc sự phản xạ . ROM cùng PROM không xẩy ra tác động này, bởi vì việc giữ giàng tài liệu của bọn chúng nhờ vào vào đặc thù thiết bị lý gắng bởi vì tính bền chắc của mạch tích đúng theo.